Ученым КФУ удалось выяснить, как структурные дефекты в полупроводниках усиливают фотолюминесценцию и электронное комбинационное рассеяние света
Физическая модель, основанная на взаимодействии фотонов ближнего поля с ловушечными электронами, может быть востребована в самых разных задачах нелокальной фотоники, оптоэлектроники и материаловедения.
24.10.2024 КФУ
24.10.2024 КФУ
